供应2-12英寸氧化硅片Sio2氧化层硅片
- 二氧化硅片是指在硅片表面热生长一层均匀的介质薄膜，用作绝缘、或者掩模材料。氧化工艺包括高温干氧氧化、高温湿氧氧化。公司采用进口氧化设备、工艺实现氧化层均匀、准确的生成。森烁科技致力于为客户提供各种硅片解决方案，针对客户不同需求提供定制化服务，在重视客户满意度及质量服务至上，持续提升本公司经营绩效，不断改善创新，专注于半导体行业研发领域，研发创新科学技术，取得技术与品质皆优的产品。为客户提供可定制高质量半导体氧化硅片Sio2氧化层硅片，其高质量品质获客户一致好评，回购率高且销售国内外各地，其参数规格如下：
外形尺寸：2-12英寸
型号：N/P型，本征（不掺杂）
直径：50-300mm
总厚度：250-600um
氧化层厚度：50nm-2000nm(常规100nm,200nm,300nm,500nm,1000nm)
平整度（TIR)＜3um
翘曲度（BOW）：≤15um
TTV:≤15um,30um
粗糙度：＜0.5nm
电阻率：0.001-20000（Ω.cm)
晶向：100/110/111
级别：IC级
表面处理：单抛，双抛，研磨
外形尺寸，型号，总厚度，氧化层厚度，电阻率，表面处理等均可定制
