碳化硅晶片

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碳化硅晶片

碳化硅晶片主要用于肖特基二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管、双极结型晶体管、晶闸管、可关断晶闸管和绝缘栅双极型晶体管的制作。
以硅(Si)、砷化镓(GaAs)为代表的第一代和第二代半导体材料的高速发展，推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。然而受材料性能所限，这些半导体材料制成的器件大都只能在200℃以下的环境中工作，不能满足现代电子技术对高温、高频、高压以及抗辐射器件的要求。因此下一代半导体材料呼之欲出，碳化硅(SiC)材料成为了第三代半导体材料的代表。碳化硅(SiC)单晶材料具有禁带宽度大(~Si的3倍)、高热导率(~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、高电子饱和迁移速率(~Si的2.5倍)、高击穿电场(~Si的10倍或GaAs的5倍)等突出特性。

SiC器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和航天、军公、核能等极端环境应用领域有着不可替代的优势，弥补了传统半导体材料器件在实际应用中的缺陷，正逐渐成为功率半导体的主流。

第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度（Eg）大于或等于2.3电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料。和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿电场、高饱和电子迁移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。在国防、航空、航天、石油勘探、光存储等领域有着重要应用前景，在宽带通讯、太阳能、汽车制造、半导体照明、智能电网等众多战略行业可以降低50%以上的能量损失，醉高可以使装备体积减小75%以上，对人类科技的发展具有里程碑的意义。

森烁科技可批量化为客户提供进口、国产的高质量导电(Conductive)、半绝缘（Semi-insulating）、HPSI（High Purity Semi-insulating）的碳化硅衬底片；此外可以为客户提供同质、异质碳化硅外延片；也能根据客户特定需求定制外延片，并不限起订量。